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FMUSER मूल SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs एन-चैनल MOS क्षेत्र-प्रभाव ब्रॉडबैंड RF पावर फील्ड-प्रभाव ट्रांजिस्टर

FMUSER मूल SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs एन-चैनल MOS क्षेत्र-प्रभाव ब्रॉडबैंड RF पावर फ़ील्ड-प्रभाव ट्रांजिस्टर विवरण SD2941-10 एक सोने का धातुकृत एन-चैनल MOS फ़ील्ड-प्रभाव RF पावर ट्रांजिस्टर है, जिसका उपयोग करने के लिए इरादा है। 28 V से 50 V डीसी बड़े सिग्नल अनुप्रयोगों के लिए 230 MHz तक। यह उद्योग मानक से 25% कम आरडीएस (ऑन) प्रदान करता है, एसटी के एसडी 20-2931 डिवाइस की तुलना में 10% अधिक पीएसएटी। SD2941-10 को कम तापीय M174 गैर-पेडस्टल पैकेज में रखा गया है, जो उद्योग मानक की तुलना में 25% कम तापीय प्रतिरोध प्रदान करता है, इस प्रकार इसे ISM अनुप्रयोगों के लिए "सर्वश्रेष्ठ-इन-क्लास" ट्रांजिस्टर प्रदान करता है, जहां विश्वसनीयता और असभ्यता महत्वपूर्ण कारक है। । specifica

विस्तार

मूल्य (USD) मात्रा (पीसीएस) शिपिंग (USD) कुल (USD) शिपिंग का तरीका भुगतान
79 1 0 79 विमान-डाक

 


FMUSER मूल SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs एन-चैनल एमओएस क्षेत्र-प्रभाव ब्रॉडबैंड आरएफ पावर फील्ड-प्रभाव ट्रांजिस्टर

Description
SD2941-10 एक सोने का धातुकृत एन-चैनल है राज्यमंत्री क्षेत्र-प्रभाव आरएफ बिजली ट्रांजिस्टर, के लिए इरादा 28 V से 50 V डीसी बड़े सिग्नल अनुप्रयोगों में उपयोग करें 230 मेगाहर्ट्ज के लिए। यह की तुलना में 25% कम आरडीएस (पर) प्रदान करता है उद्योग मानक, की तुलना में 20% अधिक PSAT के साथ ST का SD2931-10 डिवाइस। SD2941-10 है कम तापीय एम 174 गैर-पेडस्टल में रखे गए पैकेज, 25% कम थर्मल प्रतिरोध की पेशकश उद्योग मानक की तुलना में, इस प्रकार यह प्रतिपादन आईएसएम अनुप्रयोगों के लिए "बेस्ट-इन-क्लास" ट्रांजिस्टर, जहां विश्वसनीयता और असभ्यता महत्वपूर्ण हैं कारक।


विशेष विवरण

 उत्पाद श्रेणी: RF MOSFET ट्रांजिस्टर
 ट्रांजिस्टर पोलारिटी: एन-चैनल
 आईडी - निरंतर नाली वर्तमान: 20 ए
 Vds - नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज: 130 वी
 लाभ: 15.8 डीबी
 आउटपुट पावर: 175 डब्ल्यू
 न्यूनतम ऑपरेटिंग तापमान: - 65 सी
 अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान: + 150 C
 बढ़ते शैली: एसएमडी / एसएमटी
 पैकेज / केस: M174
 पैकेजिंग: थोक
 विन्यास: एकल
 लंबाई: 7.11 मिमी
 लंबाई: 24.89 मिमी
 ऑपरेटिंग फ्रीक्वेंसी: 230 MHz
 सीरीज: SD2941
 प्रकार: आरएफ पावर MOSFET
 चौड़ाई: 12.83 मिमी
 फॉरवर्ड ट्रांसकंडक्शन - मिन: 6 एस
 चैनल मोड: एन्हांसमेंट
 पीडी - बिजली अपव्यय: 389 डब्ल्यू
 उत्पाद प्रकार: RF MOSFET ट्रांजिस्टर
 फैक्टरी पैक मात्रा: 25
 उपश्रेणी: MOSFETs
 वीजीएस - गेट-सोर्स वोल्टेज: 20 वी


विशेषताएं
 सोने का धातुकरण
 उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता
 आम स्रोत विन्यास
 POUT = 175 डब्ल्यू मिन। 15 डीबी गेन @ 175 के साथ
मेगाहर्ट्ज, 50 वी
 POUT = 135 W टाइप करें। 14 डीबी गेन @ 123 मेगाहर्ट्ज के साथ,
28 वी
 कम आरडीएस (पर)
 कम के लिए थर्मामीटर बढ़ाया पैकेजिंग
 जंक्शन तापमान
 2002/95 / EC1 यूरोपीय के अनुपालन में
निदेश


 

 

मूल्य (USD) मात्रा (पीसीएस) शिपिंग (USD) कुल (USD) शिपिंग का तरीका भुगतान
79 1 0 79 विमान-डाक

 

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